东京,2023年10月11日–总部位于东京郊外小平市的嵌入式闪存内存IP核开发商Floadia公司(以下简称“Floadia”),在D轮融资中共募集了约10.5亿日元的资金。
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作为第一轮融资,总部位于大阪中央区的稻畑股份有限公司(以下简称“稻畑”)和香港投资公司Cypress Capital共认购了总价值8.5亿日元的增资。加上Floadia于2023年3月从日本金融公社获得的附带股票认购权的债务融资(2亿日元),本轮融资的总金额约为10.5亿日元。
Floadia将利用所募集资金加强向半导体制造商推广其当前主营业务——嵌入式闪存内存IP核,并加强开发利用闪存器件的超低功耗AI加速芯片。参与本轮融资的稻畑在海外信息电子、化学品、消费品和塑料等多个领域拥有广泛的业务,计划利用其网络为Floadia的海外销售提供支持。
Floadia的业务是将制造闪存(一种非易失性内存,即断电后仍可保留数据的内存)所需的工艺和电路设计以知识产权(IP)的形式授权给半导体制造商。Floadia的闪存内存IP核主要用于微控制器、功率半导体、传感器等,与传统的闪存IP核相比,功耗极低,且可以以低成本集成到芯片中。Floadia开发的首款闪存内存IP“G1”已在东芝电子设备与存储公司的微控制器中使用,并在台积电通过了允许125°C条件下10年数据保留、1万次编程/擦除循环的质量标准测试。该IP甚至在200°C的更高温度下进行了测试,确认可保留10年的数据,这是全球最高水准的质量。
在闪存内存IP核之后,Floadia正将以利用闪存器件作为信息传输介质的计算内存(CIM)芯片作为下一项业务的支柱来开发。当前的AI计算主要在数据中心等云端的大型服务器上进行,除了数据安全和延迟问题外,还担心数据中心功耗的增加。因此,需要在终端(边缘)上进行AI计算处理。Floadia的闪存内存通过模拟内存技术解决了这些问题,使得在边缘环境下进行高级AI推理计算时功耗显著降低。
Floadia目前已从INCJ(日本政府基金)、UMC Capital(台积电旗下公司)、前沿半导体设计公司Faraday Technology(台湾)和大日本住友制药等获得了约39亿日元的投资。加上本轮融资的金额,Floadia至今累计融资总额约为49.5亿日元。
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关于Floadia公司
Floadia成立于2011年,由在日立和瑞萨技术(现瑞萨电子)开发嵌入式非易失性存储器逾20年的资深工程师创立。该公司将制造微控制器、功率半导体、传感器等所需的嵌入式非易失性存储器(断电后仍可保留内容的存储器)的工艺和电路设计以知识产权(IP)的形式授权给半导体制造商。与竞争对手的存储器技术相比,Floadia的非易失性存储器技术写入和擦除数据所需的功耗仅为百万分之一,具有出色的高温耐受性,集成到芯片中的额外成本也只需要竞争对手的三分之一。由于这些特性,国内半导体制造商的汽车微控制器中已经安装了G1,一家台湾晶圆代工厂也已采用它,用作智能手机组件中的嵌入式存储器。